

 更新時(shí)間:2025-10-24
更新時(shí)間:2025-10-24       瀏覽次數(shù):33
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京都玉崎到貨!SEM坂本電機(jī) 數(shù)字水平儀 SELN-001B!
京都玉崎到貨!SEM坂本電機(jī) 數(shù)字水平儀 SELN-001B!
日本原裝產(chǎn)品到貨深圳倉(cāng)庫(kù)后,京都玉崎倉(cāng)庫(kù)負(fù)責(zé)人對(duì)其驗(yàn)貨,核對(duì)數(shù)量及質(zhì)量問(wèn)題安排入庫(kù)。
再安排人員檢驗(yàn)合格后,均已符合出廠要求。
客戶九月上旬咨詢并訂貨兩臺(tái)SEM坂本電機(jī) 數(shù)字水平儀 SELN-001B! ,10月23日上午產(chǎn)品由深圳倉(cāng)庫(kù)由專業(yè)人員進(jìn)行檢驗(yàn),檢驗(yàn)完畢后。一周內(nèi)將發(fā)往廣東珠海給對(duì)應(yīng)采購(gòu)的客戶。
產(chǎn)品特點(diǎn):
1. 雙軸同步測(cè)量
同時(shí)檢測(cè)X/Y軸傾斜,避免單軸測(cè)量導(dǎo)致的調(diào)整誤差,確保設(shè)備水平度在0.001°級(jí)精度內(nèi)。
測(cè)量分辨率達(dá)0.0002°,零點(diǎn)重復(fù)性±0.001°或更低,滿足半導(dǎo)體設(shè)備對(duì)微小傾斜的嚴(yán)苛要求。
2. 實(shí)時(shí)數(shù)字反饋與遠(yuǎn)程監(jiān)控
通過(guò)4.3英寸彩色LCD觸摸屏或外接顯示器直接顯示角度值,支持μm/m或角度單位(°、°′″)切換。
數(shù)據(jù)可實(shí)時(shí)輸出至云端或本地系統(tǒng),配合AI算法生成三維空間偏差分析報(bào)告,優(yōu)化調(diào)整流程。
3. 抗干擾設(shè)計(jì)與環(huán)境適應(yīng)性
采用電磁屏蔽和振動(dòng)補(bǔ)償算法,確保在半導(dǎo)體車間復(fù)雜電磁環(huán)境與機(jī)械振動(dòng)下的測(cè)量穩(wěn)定性。
工作溫度范圍-10°C至+50°C,適應(yīng)無(wú)塵車間恒溫控制需求。
二、在半導(dǎo)體制造中的具體應(yīng)用案例
1、光刻機(jī)校準(zhǔn)
晶圓臺(tái)調(diào)平:光刻機(jī)工作臺(tái)傾斜會(huì)導(dǎo)致焦平面偏移,影響曝光精度。SELN-001B可快速檢測(cè)并調(diào)整至≤0.001°,確保EUV/DUV光刻的成像質(zhì)量。
光學(xué)系統(tǒng)校準(zhǔn):用于調(diào)整反射鏡、透鏡組的角度,優(yōu)化光路準(zhǔn)直,減少像差,提升關(guān)鍵尺寸(CD)控制精度。
2、刻蝕設(shè)備調(diào)平
反應(yīng)腔室調(diào)平:確保等離子體均勻分布,避免刻蝕速率不均(如邊緣與中心差異),提升晶圓內(nèi)均勻性(WIU)。晶圓承載臺(tái)校準(zhǔn):雙軸同步測(cè)量?jī)?yōu)化承載臺(tái)水平度,減少刻蝕偏差,降低缺陷率。
3、鍍膜設(shè)備安裝
真空腔室調(diào)平:高精度調(diào)平縮短設(shè)備安裝時(shí)間,提高鍍膜均勻性,滿足納米級(jí)薄膜工藝要求。
蒸發(fā)源角度校準(zhǔn):確保材料沉積厚度一致,減少薄膜應(yīng)力導(dǎo)致的晶圓彎曲。
4、后道工藝支持
CMP(化學(xué)機(jī)械拋光):拋光平臺(tái)水平度直接影響晶圓表面平坦度,SELN-001B可實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)并調(diào)整,降低表面粗糙度(Ra)。
晶圓鍵合機(jī):在3D NAND等堆疊工藝中,確保鍵合界面對(duì)準(zhǔn)精度,減少層間錯(cuò)位。
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